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BGO（Bi4Ge3O12）晶体基片|锗酸铋晶体|锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片
BGO是锗酸铋(Bi4Ge3O|12)缩写，是一种闪铋矿无机氧化物晶体，无色透明，不溶于水。当它受到高能射线如γ射线、X射线等高能射线或离子辐照后，能发射波峰位于480nm的绿光。由于具有较高的截止能量、高闪烁效率、高能量分辨率和非潮解性，
BGO是Bi2O3-GeO2系化合物的总称锗酸铋的缩写，又往往特指其中的一种化合物Bi4Ge3O12。这种BGO是一种闪烁晶体，无色透明。当一定能量的电子、γ射线或重带电粒子进入BGO时，它能发出蓝绿色的荧光，记录荧光的强度和位置，就能计算出入射电子、γ射线等的能量和位置。这就是BGO的“眼睛”作用，即可用作高能粒子的“探测器”。
产品名称：
锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片
产品简介：
锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，
晶向 : <100>
晶体结构 : 立方
晶格常数 : a=10.518?
生长方法 : 提拉法
熔点 : 1050℃
密度 : 7.12g/cm3
莫氏硬度 : 5 Mohs
透过范围 : 350~5500nm
电光系数 (x10-12m/V ) : r41    1.03
折射率 : 2.098@632.8nm
激发光谱 : 305nm
荧光光谱 : 480~510nm
相对光输出 : 10~14%Nal (Tl)
衰减时间 : 300ns
临界能量 : 10.5Mev
能量分辨率(511千电子伏特) : 20%
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