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PbS包覆的CsPbI3量子点；PbS硫化铅包覆钙钛矿量子点；锌掺杂的硫化铅量子点Zn/PbSQDs一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED，其特征在于:采用PbS包覆钙钛矿量子点改善其光电性能和稳定性，并以此量子点材料作为发光层制备钙钛矿量子点电致发光LED；所述PbS包覆的钙钛矿量子点LED的结构包括:ITO玻璃作为底部电极；n型Zn0/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层；PbS包覆的钙钛矿量子点作为发光层；p型4，4'，4”-三(咔唑-9-基)苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层；MoO3/Au作为顶部电极。一。种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点电致发光LED的制备方法，一步、制备PbS包覆的CsPbI3量子点；二步、先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮、异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃，并进。行紫外臭氧处理，ITO作为底部电极:三步、以每分钟1000转的转速，将Zn0量子点溶液旋涂在ITO玻璃上，旋涂时间是1分钟，然后在空气中以150C的温度退火10分钟；再将上述薄膜转移到Nz手套箱中，在110°C的温度下，以每分钟3000转的转速将溶解在2-甲氧基乙醇溶液中的PEI旋涂在Zn0薄膜。上，时间是10分钟，Zn0/PEI层作为电子传输层和空穴阻挡层；四步、以每分钟1000转的速度，将制备好的PbS包覆CsPbI3量子点旋涂在Zn0/PEI层上，旋涂时间是1分钟，作为发光层；五步、将上一步获得的结构转移到真空度为1X10~'torr的真空腔内，依次通过热蒸发沉积TCTA、Mo03和Au薄膜层，其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层，Mo03/Au层作为顶部电极；由此获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。
图1本发明中基于PbS包覆钙钛矿量子点的电致发光LED的结构图；
图5本发明中PbS包覆CsPbI3量子点的透射电镜图像(a)和高分辨透射电子显微镜图像(b)；量子点定制产品目录：  氧化石墨烯量子点修饰氧掺杂多孔g-C3N4L-半胱氨酸/CdTe量子点修饰电极巯基丙酸修饰CdTe量子点单分散g-C3N4量子点修饰一维棒状BiPO4微晶(g—C3N4/BiPO4)Ag3PO4量子点修饰Ag3PO4/Bi2WO6异质复合材料石墨烯量子点修饰柔性硅纳米线阵列碳量子点修饰二氧化钛纳米片阵列薄膜FeO量子点修饰BiO/gCN复合材料碳量子点修饰锂硫电池正极材料氮掺杂碳量子点修饰富氮石墨型氮化碳复合材料
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